S.Ohmi, C.Kobayashi, E.Tokumitsu, H.Ishiwara, H.Iwai: "Low Leakage Lg_2O_3 Gate Insulator Film with EOTs of 0.8-1.2nm"2001 International conference on Solid State Devices and Materials. (2001)
S.Ohmi, C.Kobayashi, E.Tokumitsu, H.Ishiwara, H.Iwai: "Low Leakage Lg_2O_3 Gate Insulator Film with EOTs of 0.8-1.2nm"2001 International conference on Solid State Devices and Materials. (2001)
复制标题
S.Ohmi、C.Kobayashi、E.Tokumitsu、H.Ishiwara、H.Iwai：“具有 0.8-1.2nm EOT 的低泄漏 Lg_2O_3 栅极绝缘膜”2001 年固态器件和材料国际会议。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
