Structure of the Thinnest Most Stable Semiconducting and Insulating Nanotubes of SiO_x(x=1,2)
Structure of the Thinnest Most Stable Semiconducting and Insulating Nanotubes of SiO_x(x=1,2)
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最薄最稳定的半导体绝缘SiO_x(x=1,2)纳米管的结构
DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Abhishek Kumar Singh
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
L.Qian;H.Toda;K.Uesugi;T.Kobayashi;T.Ohgaki;M.Kobayashi;Abhishek Kumar Singh;Abhishek Kumar Singh
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影响因子:
2.4
作者:
J. Gole;Zhong Lin Wang;Z. Dai;J. D. Stout;M. White
通讯作者:
M. White
DOI:
10.1088/0953-8984/4/42/013
发表时间:
1992
期刊:
影响因子:
--
作者:
Sung Ho Lee;Woong
通讯作者:
Woong
DOI:
10.1039/b311887h
发表时间:
2004
期刊:
影响因子:
--
作者:
M. Sunkara;Shashank Sharma;H. Chandrasekaran;M. Talbott;K. Krogman;G. Bhimarasetti
通讯作者:
G. Bhimarasetti
DOI:
10.1021/jp034452k
发表时间:
2003
期刊:
影响因子:
--
作者:
M. Zäch;J. Newberg;L. Sierra;J. Hemminger;R. Penner
通讯作者:
R. Penner
DOI:
10.1021/nl010048q
发表时间:
2001
期刊:
影响因子:
--
作者:
J. Gole;Zhong Lin Wang
通讯作者:
Zhong Lin Wang