Universality of the electronic structure from a half-filled CuO_2 plane
Universality of the electronic structure from a half-filled CuO_2 plane
复制标题
半填充 CuO_2 平面电子结构的普适性
DOI：
--
复制
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F.Ronning et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F.Ronning et al.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.7
作者：
G. Martins;R. Eder;E. Dagotto
通讯作者：
G. Martins;R. Eder;E. Dagotto
二维 Cu3O4 平面中空穴的色散：两个单态的故事
DOI：
10.1103/physrevlett.78.4107
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
Golden;H. Schmelz;M. Knupfer;S. Haffner;G. Krabbes;J. Fink;V. Yushankhai;H. Rosner;R. Hayn
通讯作者：
R. Hayn
U-t-t Hubbard 模型绝缘相能隙的各向异性
DOI：
10.1007/s100510070054
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
Philipp Brune;A. P. Kampf
通讯作者：
A. P. Kampf
7a-T-2 具有精确 SO (5) 对称性的微观电子模型
DOI：
10.1103/physrevlett.80.3586
发表时间：
1997
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Rabello;H. Kohno;E. Demler;Shoucheng Zhang
通讯作者：
Shoucheng Zhang
在 2 {sup 1}S 和 2 {sup 3}S He 阈值处观察 He{sup {minus}} 的低位共振态
DOI：
10.1103/physreva.55.r14
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Bader;L. Sarkadi;L. Víkor;M. Kuzel;P. Závodszky;T. Jalowy;K. Groeneveld;P. Macri;R. Barrachina
通讯作者：
R. Barrachina