Anisotropic-strain-enhanced hole mobility in GaN by lattice matching to ZnGeN 2 and MgSiN 2
Anisotropic-strain-enhanced hole mobility in GaN by lattice matching to ZnGeN 2 and MgSiN 2
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通过与 ZnGeN 2 和 MgSiN 2 晶格匹配实现 GaN 中各向异性应变增强的空穴迁移率
DOI：
10.1063/5.0092709
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Giustino, Feliciano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Leveillee, Joshua;Poncé, Samuel;Adamski, Nicholas L.;Van de Walle, Chris G.;Giustino, Feliciano
