Y.Kumagai, K.Ishimoto, R.Mori and F.Hasegawa: "Temperature dependence of boron surface segregation in Si molecular beam epitaxial growth on the Si (111) ROO<3>*ROO<3>-B surface" to be published inJ.Cryst.Growth.
Y.Kumagai, K.Ishimoto, R.Mori and F.Hasegawa: "Temperature dependence of boron surface segregation in Si molecular beam epitaxial growth on the Si (111) ROO<3>*ROO<3>-B surface" to be published inJ.Cryst.Growth.
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Y.Kumagai、K.Ishimoto、R.Mori 和 F.Hasekawa：“Si (111) ROO<3>*ROO<3>-B 表面上 Si 分子束外延生长中硼表面偏析的温度依赖性”
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