Scalable La-silicate Gate Dielectric on InGaAs Substrate with High Thermal Stability and Low Interface State Densit
Scalable La-silicate Gate Dielectric on InGaAs Substrate with High Thermal Stability and Low Interface State Densit
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InGaAs 衬底上的可扩展硅酸铝栅极电介质，具有高热稳定性和低界面态密度
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Daryoush Hassan Zadeh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Naganawa;et al.;Daryoush Hassan Zadeh;Daryoush Hassan Zadeh
