K.Maehashi, S.Hasegawa and H.Nakashima: ""Charge-Balanced Heteroepitaxial Growth of GaAs on Si"" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 642-645 (1993)
K.Maehashi, S.Hasegawa and H.Nakashima: ""Charge-Balanced Heteroepitaxial Growth of GaAs on Si"" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 642-645 (1993)
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K.Maehashi、S.Hasekawa 和 H.Nakashima：“Si 上 GaAs 的电荷平衡异质外延生长”，日本应用物理学杂志。
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