Hydrogen-related defect centers in float-zone and epitaxial n-type proton implanted silicon
Hydrogen-related defect centers in float-zone and epitaxial n-type proton implanted silicon
复制标题
浮区硅和外延n型质子注入硅中与氢相关的缺陷中心
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
V. Privitera
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Lévêque;P. Pellegrino;A. Hallén;B. Svensson;V. Privitera
