Radiation emission at channeling of electrons in a strained layer Si1-xGex undulator crystal
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DOI：
10.1016/j.nimb.2013.03.047
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发表时间：
2013-08
影响因子：
1.3
通讯作者：
H. Backe;D. Krambrich;W. Lauth;K. K. Andersen-K.;J. L. Hansen;U. Uggerhøj
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Backe;D. Krambrich;W. Lauth;K. K. Andersen-K.;J. L. Hansen;U. Uggerhøj
