Vth-Shiftable SRAM Cell TEGs for Direct Measurement for the immunity of the Threshold Voltage Variability
Vth-Shiftable SRAM Cell TEGs for Direct Measurement for the immunity of the Threshold Voltage Variability
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Vth 可移位 SRAM 单元 TEG，用于直接测量阈值电压变化的抗扰度
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Yamaguchi;H. Imi;S. Tokumaru;T Kondo;H. Yamamoto;K. Nakamura
