Nucleation effect of Si-a of 6H-SiC-(0001)-(root 3 x root 3)R30 degrees surface: First-principles study
Nucleation effect of Si-a of 6H-SiC-(0001)-(root 3 x root 3)R30 degrees surface: First-principles study
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6H-SiC-(0001)-(root 3 x root 3)R30度表面Si-a的成核效应：第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
2.8
通讯作者：
J. X. Zhong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Ji;L. Z. Sun;C. Tang;J. X. Zhong
