Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H_2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories
Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H_2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories
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H_2等离子体处理超薄栅氧化层金属纳米点的形成及其在浮栅存储器中的应用
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki;M. Muraguchi;S. Nomura;A. Kawanami;Y. Sakurai;K. Makihara;M. Ikeda;K. Shimanoe;H. Kaku;S. Mahboob;Y. Sakurai;S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki
