Aluminum Nitride for Ge-MIS Gate Stacks with Scalable EOT
Aluminum Nitride for Ge-MIS Gate Stacks with Scalable EOT
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用于具有可扩展 EOT 的 Ge-MIS 栅极堆栈的氮化铝
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Tabata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nobutaka Yamaoka;Yasuyuki Kita;et al;T. Tabata
