Growth of metastable ZB CrSe

Growth of metastable ZB CrSe
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DOI：
10.1002/pssc.201300622
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发表时间：
2014-07
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
通讯作者：
R. Moug;K. Prior
R. Moug;K. Prior
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
R. Moug;K. Prior

文献摘要

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本文首次在ZB晶体结构中发现了MBE生长的亚稳化合物CrSe。使用化合物6N CdSe源和6N纯度Cr，我们证明了该材料可以以0.06 As-1的生长速率生长在厚度约为20 nm的层中。采用二次离子质谱（SIMS）、x射线反射（XRR）、RHEED和光学显微镜对其组成和形貌进行了检测。（©2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim）
In this paper we present, for the first time, evidence of the metastable compound CrSe grown by MBE in the ZB crystal structure. Using a compound 6N CdSe source and 6N purity Cr we demonstrate the material can be grown with a growth rate of 0.06 As–1 in layers up to approximately 20 nm thick. Secondary ion mass spectrometry (SIMS), X-ray reflection (XRR), RHEED and optical microscopy were used to examine the composition and morphology. (© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)