極性面フリーな三次元InGaN-LEDのデバイスプロセス検討

極性面フリーな三次元InGaN-LEDのデバイスプロセス検討
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无极平面3D InGaN-LED器件工艺研究

DOI:
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发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
川上養一
川上養一
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
松田祥伸;船戸充;川上養一

文献摘要

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