Single crystal growth of GaN by the temperature gradient Na flux method
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.03.035
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发表时间：
2004-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Aoki;H. Yamane;M. Shimada;S. Sarayama;Hirokazu Iwata;F. Disalvo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Aoki;H. Yamane;M. Shimada;S. Sarayama;Hirokazu Iwata;F. Disalvo
