Random and channeling stopping powers and charge-state distributions in silicon for 0.2-1.2 MeV/u positive heavy ions
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DOI：
10.1103/physrevb.59.226
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发表时间：
1999
影响因子：
3.7
通讯作者：
W. Jiang;R. Grötzschel;W. Pilz;B. Schmidt;W. Möller
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Jiang;R. Grötzschel;W. Pilz;B. Schmidt;W. Möller
