Improvement of epitaxial channel quality on heavily arsenic- and boron-doped Si surfaces and impact on performance of tunnel field-effect transistors
Improvement of epitaxial channel quality on heavily arsenic- and boron-doped Si surfaces and impact on performance of tunnel field-effect transistors
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重砷和硼掺杂硅表面外延沟道质量的改善及其对隧道场效应晶体管性能的影响
DOI：
10.1016/j.sse.2015.05.031
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Ota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Morita;T. Mori;S. Migita;W. Mizubayashi;K. Fukuda;T. Matsukawa;K. Endo;S. O'Uchi;Yongxun Liu;M. Masahara;H. Ota
