RESURF LDMOSFET with a trench for SOI power integrated circuits
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DOI：
10.1016/j.mejo.2004.02.001
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发表时间：
2004-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Won-So Son;Y. Sohn;Sie-Young Choi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Won-So Son;Y. Sohn;Sie-Young Choi
