K.Ishikawa,R.Kobayashi,S.Narahara and F.Hasegawa: "Epitaxial Growth of GaAs at one to two Monolayers per Cycle by Alternate Supply of GaCl_3 and AsH_3."" Japan.J.Appl.Phys.,.
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K.Ishikawa、R.Kobayashi、S.Narahara 和 F.Hasekawa：“通过 GaCl_3 和 AsH_3 的交替供应，GaAs 在每个周期外延生长一到两个单层。”Japan.J.Appl.Phys.,。
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