薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価
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使用薄膜 3C-SiC 缓冲层进行 GaN 生长和评估
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
浅村英俊，川村啓介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
片桐正義;方 浩;三宅秀人;平松和政;奥 秀彦;浅村英俊，川村啓介
