経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算
経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算
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使用经验赝势法计算 4H-SiC 中的浮动电子态
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森 伸也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
永溝 幸周;田中 一;森 伸也
