Observation of a new isoelectronic trap luminescence in nitorgen δ-doped GaP
Observation of a new isoelectronic trap luminescence in nitorgen δ-doped GaP
复制标题
氮δ掺杂GaP中新等电子陷阱发光的观察
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Masumoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Ikezawa;Y. Sakuma;M. Watanabe;Y. Masumoto
