SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価
SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価
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采用瞬态光电容法评估SiO2/掺硼CVD金刚石界面的界面态
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
兼本 大輔，廣瀬 哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
毎田 修;児玉 大志;兼本 大輔，廣瀬 哲也
