Bandgap dependence in nitride semiconductor-based tunnel junctions
Bandgap dependence in nitride semiconductor-based tunnel junctions
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基于氮化物半导体的隧道结的带隙依赖性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Minamikawa;M. Kaga;Y. Kuwano;T.Morita;T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
