First principles calculation of charge-carrier and defect concentration of R2O3-doped BaZrO3
First principles calculation of charge-carrier and defect concentration of R2O3-doped BaZrO3
复制标题
R2O3掺杂BaZrO3载流子和缺陷浓度的第一性原理计算
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Moriwake
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Kuwabara;T. Ogawa; C. A. J. Fisher;H. Moriwake
