Control of Electrical Properties in Heusler-Alloy/Ge Schottky Tunnel Contacts formed by Phosphorous δ-Doping with Si-Layer Insertion
Control of Electrical Properties in Heusler-Alloy/Ge Schottky Tunnel Contacts formed by Phosphorous δ-Doping with Si-Layer Insertion
复制标题
通过磷 δ 掺杂和硅层插入形成的 Heusler 合金/Ge 肖特基隧道接触的电性能控制
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kohei Hamaya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Michihiro Yamada;Yuichi Fujita;Shinya Yamada;Kentarou Sawano;Kohei Hamaya
