Characterisation of Interfaces in 4H-SiC high-K MOS Structures
Characterisation of Interfaces in 4H-SiC high-K MOS Structures
复制标题
4H-SiC 高 K MOS 结构中的界面表征
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Roy, S.K.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Roy, S.K.
