K.Kimura: "Amorphization of Si (001) by ultralow energy (0.5 to 5keV) ion implantation observed with high resolution RBS"Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res.. B148. 284-288 (1999)
K.Kimura: "Amorphization of Si (001) by ultralow energy (0.5 to 5keV) ion implantation observed with high resolution RBS"Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res.. B148. 284-288 (1999)
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K.Kimura：“用高分辨率 RBS 观察到超低能量（0.5 至 5keV）离子注入对 Si (001) 的非晶化”Nucl。
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