ミストCVD法によるCu3VO4薄膜の形成における溶媒の影響
ミストCVD法によるCu3VO4薄膜の形成における溶媒の影響
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溶剂对雾气CVD法形成Cu3VO4薄膜的影响
DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
喜多 正雄・大門 貴寛
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Yuuki Oho;Tomoyuki Homma;and Masao Kita;野上大一,喜多正雄;喜多正雄,大門貴寛,野上大一;喜多 正雄・大門 貴寛