Doped surfaces in one sun, point-contact solar cells
Doped surfaces in one sun, point-contact solar cells
复制标题
一个太阳中的掺杂表面，点接触太阳能电池
DOI：
--
复制
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. M. Swanson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. King;R. Sinton;R. M. Swanson
这封信报道了两种新型的大面积(>；8.5 cm2)背部点接触掺杂表面太阳能电池，设计用于非集中阳光下。其中一种类型是在本征衬底上制备的，在朝太阳的表面上进行了优化的磷扩散。在1个太阳(0.100 W/cm~2)，25 °C时，独立测量的有孔面积效率为22.3%，是硅太阳能电池中报道的最高值。另一种类型是建立在掺杂衬底上的，其有孔面积效率为20.9%，是报道的具有低能级注入基座的点接触太阳能电池的最高效率。这两个电池的开路电压都创下了700 mV以上的纪录。
This letter reports two new types of large‐area (>8.5 cm2), backside, point‐contact solar cells with doped surfaces, designed for use in unconcentrated sunlight. One type was fabricated on an intrinsic substrate with an optimized phosphorus diffusion on the sunward surface. The apertured‐area efficiency was independently measured to be 22.3% at 1 sun (0.100 W/cm2), 25 °C, the highest reported for a silicon solar cell. The other type is constructed on a doped substrate, and has an apertured‐area efficiency of 20.9%, the highest reported for a point‐contact solar cell with a base in low‐level injection. Both cells have record open‐circuit voltages above 700 mV.