単一イオン注入法を用いたヒ素(As)イオンの位置と個数を制御したトランジスタの低温伝導特性評価
単一イオン注入法を用いたヒ素(As)イオンの位置と個数を制御したトランジスタの低温伝導特性評価
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使用单离子注入方法控制砷（As）离子的位置和数量来评估晶体管的低温导通特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
品田賢宏
中科院分区：
文献类型：
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作者：
堀匡寛;E.Prati;F.Guagliarldo;小野行徳;小松原彰;熊谷国憲;谷井孝至;遠藤哲郎;大泊巌;品田賢宏
