IV族ベース・スピンデバイスを目指したMnドープGe強磁性薄膜の成長及び磁性・構造の評価
IV族ベース・スピンデバイスを目指したMnドープGe強磁性薄膜の成長及び磁性・構造の評価
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针对 IV 族自旋器件的 Mn 掺杂 Ge 铁磁薄膜的生长和磁性和结构评估
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中雅明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
矢田慎介;田中雅明
