Elongation of emission wavelength of GaInAsSb-covered(Ga)InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长GaInAsSb覆盖(Ga)InAs量子点发射波长的延长
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tetsuya Matsuura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Satoshi Ueno;Toshiki Naganawa;Yasuo Kokubun;坂口 高宏 et al.;T. Ikame;H. Haga;Makoto Sugihara et al.;T. Makino;Toru Miura;Haruichi Kanaya et al.;A. Patnaik;Haruichi Kanaya et al.;Tetsuya Matsuura
