Vertical GaN diode BV maximization through rapid TCAD simulation and ML-enabled surrogate model
Vertical GaN diode BV maximization through rapid TCAD simulation and ML-enabled surrogate model
复制标题
通过快速 TCAD 仿真和支持 ML 的替代模型实现垂直 GaN 二极管 BV 最大化
DOI：
10.1016/j.sse.2022.108468
复制
发表时间：
2022
影响因子：
1.7
通讯作者：
Wong, Hiu Yung
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lu, Albert;Marshall, Jordan;Wang, Yifan;Xiao, Ming;Zhang, Yuhao;Wong, Hiu Yung
