T.Egawa: "Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(001) substrates"Applied Surface Science. (掲載決定). (2003)
T.Egawa: "Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(001) substrates"Applied Surface Science. (掲載決定). (2003)
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T.Ekawa：“在 Si(001) 衬底上两步生长形成的 SiGe 层的应变松弛机制”《应用表面科学》（2003 年出版）。
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