Characteristics of VOx microbolometer on Si3N4/SiO2 Membrane Fabricated by Deep-RIE and XeF2 Vapor Etching for THz-detectors
Characteristics of VOx microbolometer on Si3N4/SiO2 Membrane Fabricated by Deep-RIE and XeF2 Vapor Etching for THz-detectors
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用于太赫兹探测器的深 RIE 和 XeF2 气相蚀刻 Si3N4/SiO2 膜上 VOx 微测辐射热计的特性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Uchida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Maeda;Van Nhu Hai;K. Nishioka;A. Matsutani;T. Tachiki;T. Uchida
