Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
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半导体中的中子嬗变掺杂
DOI：
10.1007/978-1-4684-8249-2
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发表时间：
1979
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. M. Meese
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. M. Meese
