半導体-絶縁体転移を示すVO2/Nb-TiO2多層膜の電子構造とキャリアー密度
半導体-絶縁体転移を示すVO2/Nb-TiO2多層膜の電子構造とキャリアー密度
复制标题
半导体-绝缘体转变的 VO2/Nb-TiO2 多层薄膜的电子结构和载流子密度
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
樋口 透
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
谷古宇 海斗;西 翔平;伊藤 宏樹;谷口 充樹;冨吉 希彩良;高田 文朝;志賀 大亮;組頭 広志;樋口 透
