TE/TM mode conversion in silicon waveguides using selective stress applying oxide patches and etched oxide windows
TE/TM mode conversion in silicon waveguides using selective stress applying oxide patches and etched oxide windows
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使用选择性应力施加氧化物贴片和蚀刻氧化物窗口在硅波导中进行 TE/TM 模式转换
DOI：
10.1109/group4.2005.1516426
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Tsuchiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Liang;L. Nunes;H. Tsang;M. Tsuchiya
我们演示了在硅波导中TE/TM模的转换。通过氧化物贴片和刻蚀氧化物窗口施加应力分别实现了40%以上的偏振转换，并允许在较宽的波长范围内工作。
We demonstrate TE/TM mode conversion in silicon waveguides. The application of stress by oxide patches and etched oxide windows respectively enabled over 40% polarization conversion and allowed operation over a wide wavelength range.