Low Threshold Current Density Operation of a GaInAsP/Si Hybrid Laser Prepared by Low-Temperature N_2 Plasma Activated Bonding
Low Threshold Current Density Operation of a GaInAsP/Si Hybrid Laser Prepared by Low-Temperature N_2 Plasma Activated Bonding
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低温N_2等离子体激活键合GaInAsP/Si混合激光器的低阈值电流密度工作
DOI：
10.7567/jjap.52.060202
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hayashi;R. Osabe;K. Fukuda;Y. Atsumi;J. Kang;N. Nishiyama;S;Arai
