InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザのための酸化インジウムスズpクラッド層の検討
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザのための酸化インジウムスズpクラッド層の検討
复制标题
InP基片II-VI族半导体激光器氧化铟锡p包层的研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
福島浩二，野村一郎，白石智裕，高松眞吾，小林亮平，岸野克巳
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Koji Fukushima;Tomohiro Shiraishi;Ryohei Kobayashi;Katsumi Kishino;and Ichirou Nomura;小林亮平，野村一郎，高松眞吾，白石智裕，福島浩二，岸野克巳;福島浩二，野村一郎，白石智裕，高松眞吾，小林亮平，岸野克巳
