分子動力学法によるGeO_2/Ge界面のモデリング～SiO_2/Siとの違い～
分子動力学法によるGeO_2/Ge界面のモデリング～SiO_2/Siとの違い～
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使用分子动力学方法模拟GeO_2/Ge界面〜与SiO_2/Si的差异〜
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡邉孝信
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshio Ohshita;Atsushi Ogura;他;小笠原正道;渡邉孝信
