次世代半導体メモリ実現に向けたTEMその場観察を用いた故障メカニズム解析法の確立
次世代半導体メモリ実現に向けたTEMその場観察を用いた故障メカニズム解析法の確立
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建立利用原位TEM观察的失效机理分析方法，以实现下一代半导体存储器
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高橋 庸夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
工藤 昌輝;松村 晶;宮崎 宣幸;遠堂 敬史;大多 亮;有田 正志;福地 厚;高橋 庸夫
