Dielectric charge traps. A new structure element for power devices
Dielectric charge traps. A new structure element for power devices
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DOI：
10.1109/ispsd.2000.856807
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发表时间：
2000-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kapels;R. Plikat-;D. Silber
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Kapels;R. Plikat-;D. Silber
SOI技术的发展，特别是SIMOX和硅直接键合技术的发展，为SOI器件提供了一种新型的结构元件，可以从多个方面改善器件的阻塞特性。采用数值模拟的方法分析了一种实现高击穿电压的新型结构元件。我们提出的电介质结构，在强垂直场收集多数或少数载流子。这些结构为各种问题提供了令人惊讶的新解决方案。可以实现改进的高压场板、表面场减小的肖特基整流器、动态缓冲器和罗恩改进的单极器件。
The progress in SOI technologies, especially SIMOX and Silicon Direct Bonding, suggests a new type of structural element which could improve device blocking behavior in various aspects. A novel structure element for realizing high breakdown voltages in power devices is analyzed using numerical simulations. We propose dielectric structures which in strong vertical fields collect majority or minority carriers. These structures enable surprising new solutions for various problems. Improved high voltage field plates, surface field reduced Schottky rectifiers, dynamic buffers and Ron improved unipolar devices can be achieved.