Change of the band structure of Mg2Si induced by interstitial doping with nonmetallic elements
Change of the band structure of Mg2Si induced by interstitial doping with nonmetallic elements
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非金属元素间隙掺杂引起Mg2Si能带结构的变化
DOI：
10.7567/1347-4065/ab6567
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发表时间：
2020
影响因子：
1.5
通讯作者：
and K. Takarabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Imai;N. Hirayama;A. Yamamoto;and K. Takarabe
