MOCVD選択成長による単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットの形成とその光学特性～最大励起子分子束縛エネルギーの観測～
MOCVD選択成長による単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットの形成とその光学特性～最大励起子分子束縛エネルギーの観測～
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MOCVD选择性生长单根GaN/AlGaN纳米线量子点的形成及其光学性质~最大激子分子结合能的观测~
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
崔〓鉉
中科院分区：
文献类型：
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作者：
崔埼鉉;加古敏;有田宗貴;荒川泰彦;崔〓鉉
