4H-SiC MOS Capacitors and MOSFET Fabrication with Gate Oxidation at 1400°C
4H-SiC MOS Capacitors and MOSFET Fabrication with Gate Oxidation at 1400°C
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1400°C 栅极氧化的 4H-SiC MOS 电容器和 MOSFET 制造
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Chow
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Naik;T. Chow
本文比较了采用传统NO退火工艺和高温（1400°C）干氧化工艺制作的4 H-SiC MOS电容器和MOSFET的性能。通过大量的C-V、G-ω、I-V和Hall测量，讨论了这两种工艺的局限性。
This paper compares the performance of 4H-SiC MOS capacitors and MOSFETs made using the conventional NO annealing process and a high-temperature (1400°C) dry oxidation process. Through extensive C-V, G-ω, I-V and Hall measurements, the limitations of both the processes are discussed.