S.Kobayashi: "Effects of channel mobility on SiC power metal-oxide-semiconductor field effect transistor performance" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 3331-3333 (1996)
S.Kobayashi: "Effects of channel mobility on SiC power metal-oxide-semiconductor field effect transistor performance" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 3331-3333 (1996)
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S.Kobayashi：“沟道迁移率对 SiC 功率金属氧化物半导体场效应晶体管性能的影响”日本应用物理学杂志。
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