Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity
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GaAs/Ge/GaAs (113)B 异质结构中的亚晶格反转及其在基于耦合多层腔的太赫兹发射器件中的应用
DOI：
10.7567/jjap.57.04fh07
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yasuo Minami and Takahiro Kitada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiangmeng Lu;Naoto Kumagai;Yasuo Minami and Takahiro Kitada
